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IBM处理器开发者Power7不逊色于英特尔

发布时间:2020-03-20 10:21:40阅读:来源:科盛检测设备

在2010年2月的半导体相干国际会议“ISSCC2010”上,美国IBM发布了嵌入8个内核、混载DRAM、浮点运算性能高达200GFLOPS的服务器用微处理器“Power7”,吸引了与会者的目 光。该产品采取45nm工艺技术制造,最大工作频率为4.14GHz。技术在线就该处理器中采取的新技术、和相对竞争对手处理器的优势等,采访了负责 Power7开发的IBM高级工程师兼处理器开发负责人Ron Kalla。以下是采访全文:

——与65nm工艺的“Power6”相比,Power7在哪些方面有所提高?

与Power6相比,Power7将内核数提高到了4倍,将单位内核可执行的线程数提高到了2倍。另外,还导入了使半数内核休眠、增加可平均分 配给剩余内核缓存容量的“Turbo CoreMode”功能等。不但提高了性能,还采取了许多低耗电技术。如果只从性能上看,Power6并不比Power7逊色,但称不上是低耗电处理器。而 Power7则将单位耗电量的性能提高到了Power6的4倍。

——将此前外接的L3缓存作为混载DRAM集成到了Power7中,这一点成了人们关心的话题。

采取混载DRAM方式的L3缓存,可谓是我们在Power7上实现的最大技术革新。我们在大约10年前就开始致力于处理器的DRAM混载,此次 终究得以实现。花了10年才实现,可见技术难度之高。与采取混载SRAM构成L3缓存相比,混载DRAM可将存储单元面积减小到1/3,将待机时耗电量降 低到1/5。与外接L3缓存时相比,延迟时间(Latency)可缩短到1/6。

——与英特尔的处理器相比也不逊色吗?

不比英特尔的芯片逊色。特别是在处理器内核性能与内存存取速度的均衡、和运行进程中内存的平均带宽方面,还超过了包括英特尔在内的其他竞争对 手。即使仅从芯片面积这一点来看也具有优势,如:通过采取混载DRAM,使得L3缓存的内存集成密度高于英特尔相同工艺技术的处理器。

——继Power7以后的“Power8”将会是具有何种性能的芯片?另外,贵公司什么时候采取英特尔已投产的32nm工艺制造处 理器?

Power8还处于探讨芯片设计概念的阶段,性能指标还不能公然。不过,混载DRAM等优秀技术我们希望继续沿用。关于投产日期,可以参考以往 (每隔3年投放一种新架构的)的周期。虽然32nm工艺的投产日期也不能公布,但我可以回答的是,投产已纳入了视野。

——随着节能化成为全球的潮流,服务器用处理器的竞争条件出现了甚么变化?

低耗电技术已成为重要的差异化因素。在IBM于2001年投产180nm工艺的“Power4”时,就连负责开发电源管理技术专业团队都不存 在。而目前,在芯片和系统等多个层面都开始采取低耗电技术。今后,导入类似电源门控(Power Gating)那样的低耗电技术必不可少。

——IBM一条龙式地从事从半导体工艺直到服务器的开发。从负责处理器开发的技术人员角度来看,这是否是实现与竞争对手的差异 化的关键因素?

我非常认同这类看法。可改良处理器性能的“魔法般方法”根本不存在。从半导体工艺直到芯片设计、固件、OS、服务器,所有层面的责任人都必须在 各自的岗位上将工作做到最好。IBM公司具有这样的环境。例如,公司内有高级工程师(技术理事)参加的会议。可通过这类方式与半导体工艺专家等进行探讨, 这即使对负责设计的我本人来讲也是极为有益的。编译/搜狐IT

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